[电子元器件] 如何区分开关管与放大管

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 楼主 | 2019-2-4 12:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
如何区分开关管与放大管
| 2019-2-4 13:11 | 显示全部楼层
对于一般的应用来说,开关管也有放大区域,放大管也可以工作在开关区域,这个由三极管的特性曲线决定!国产比如,3DD:放大管,3DK:开关管
| 2019-2-4 17:44 | 显示全部楼层
线性,耐压,功耗耐量,饱和压降,
有没有发觉,两种管的分别,跟 运放与比较器 的分别 正好配套!
| 2019-2-4 18:10 | 显示全部楼层
跟运放和比较器没法比,跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片,内部三极管在be之间加了一个肖特基二极管,当进入三极管进入深度饱和区Vce小于0.3V的时候把一部分基极电流Ib漏到e极,可以避免进入深饱和区,从而提高了开关速度。
| 2019-2-4 20:14 | 显示全部楼层
你瞅啥 发表于 2019-2-4 18:10
跟运放和比较器没法比,跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片,内部三极管在be之间加了一个肖特基二极 ...

阁下说的是 贝克钳位 吗?
肖特基管正向压降跟 硅PN结 开启门限 相当甚至稍低,
並联于集电结则相当于 电压並联负反馈,作用正是藉分流而不让管子饱和,开关电源技术也有这用法。
| 2019-2-5 01:18 | 显示全部楼层
开关管需要过驱动,发射结的设计需针对储存效应,放大管可不考虑。
| 2019-2-5 01:27 | 显示全部楼层
区分方法,小功率的较难判别,大功率的,可从饱和电压的大小或正反向耐压的差距来估摸。
| 2019-2-5 22:59 | 显示全部楼层
没有绝对方法。
 楼主 | 2019-2-6 08:18 | 显示全部楼层
SUUY79 发表于 2019-2-4 13:11
对于一般的应用来说,开关管也有放大区域,放大管也可以工作在开关区域,这个由三极管的特性曲线决定!国产 ...

大师,如果在电路图是如何区分呢
 楼主 | 2019-2-6 08:20 | 显示全部楼层
费晸 发表于 2019-2-5 01:18
开关管需要过驱动,发射结的设计需针对储存效应,放大管可不考虑。

请问大师发射极要针对储存效应是什么意思
| 2019-2-6 15:13 | 显示全部楼层
顺道问一句:ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态?
| 2019-2-6 15:24 | 显示全部楼层
chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句:ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态?

逻辑电路属于脉冲及数字电路,
管子的表现跟开关电路相若,但不是以开关电源技术的方式来驱动的。
 楼主 | 2019-2-6 15:57 | 显示全部楼层
chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句:ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态?

哈哈,你又难处我了,我还在看书。从图纸还不知道如何分析开关管和放大管的区别
| 2019-2-6 17:41 | 显示全部楼层
爱发烧 发表于 2019-2-6 08:20
请问大师发射极要针对储存效应是什么意思



ts就是storage time,是深饱和恢复时间,图中画的跟tdelay,trise,tfall差不多大,但实际上ts比其它三个大多了,是影响开关电路速度的决定性因素。

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| 2019-2-6 18:08 | 显示全部楼层
临界线,放大与饱和两区的接壤处,在速度与管耗间取得平衡。
| 2019-2-6 23:34 | 显示全部楼层
本帖最后由 SUUY79 于 2019-2-6 23:36 编辑
爱发烧 发表于 2019-2-6 08:18
大师,如果在电路图是如何区分呢
看图,放大管和开关管的区别:
一般来说,放大管希望放大区域越大越好
而对于开关管,希望放大区域越小越好!


这个回复搞了好长时间,我确实还不知道如何才能上传图片
算了,这么跟你说吧,三极管的本质是利用Ib控制IC,理想情况下IC=β*Ib,这个里面β就是三接管的放大倍数
那么有三种情况:
1、三极管的IB=0,此时IC=0,三极管工作于截止区。该状态可以称为开关管的关断状态0
2、三极管的IB>0,此时IC=β*Ib,三极管工作于放大区。这种状态就是模拟信号中最常见,就是你说的放大管
3、三极管的IB>>0,此时IC≠β*Ib,三极管工作于饱和导通区。这种状态就是数字信号中最常见,这种状态就是开关管的导通状态1

当然,一般中低频应用问题不大,但是对于高频来说,放大管与开关管在构造上还是有很大区别的,这个主要是三极管的结电容对开关速度影响很大,会增加TON和TOFF的时间,不过这些都是数字信号的内容了,暂且不表。

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| 2019-2-7 09:35 | 显示全部楼层
学习学习。。
| 2019-2-7 13:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 hk6108 于 2019-2-7 14:00 编辑

还未写好
| 2019-2-7 14:14 | 显示全部楼层
……一般来说,放大管希望放大区域越大越好,而对于开关管,希望放大区域越小越好!……

愈小愈好的,应该是 饱和压降 吧,不过,跟
FET 不同, BJT是以结运作的,不是沟道,以结运作,就会受结的伏安特性制约,当集电结的正偏达到 门槛电压,饱和压降就下不去。
| 2019-2-7 15:19 | 显示全部楼层
至于 结电容,
由于 “电压不能突变” 及旁路作用,对开关电路的影响比线性系统更严重,所以,开关管的设计在结电容问题上费煞苦心,
结电容与存储效应,都是拖后腿的,不过,作用的机制及环节不一样,结电容影响的是反应时间,即是由驱动发出至 PN结 吃到讯号的时间,存储效应则关系到 PN结 本身动作的快慢。
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