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为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。目前3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。

本文引用地址: http://www.21ic.com/embed/news/technology/201905/90054.html

2018 年底,SK Hynix(SK海力士)发表 96 层堆栈快闪存储器,是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb(64GB)产品,还特地取了个有意思的 4D NAND 名词(本质和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 当时曾预告,在 2019 年也就是今年的某个时间点,自家 96 层堆栈产品技术发展将进入另一个阶段,容量会倍增至 1Tb(128GB)。

SK Hynix 刚实现了这点,官方宣布 96 层、1Tb 样品已经备妥,正½续出货提供给予主要的控制器、固态硬盘制造商。不过首波 1Tb 样品属于 QLC 类型,基于 4D NAND 架构设计具有 4 个平面(Plane)、区块容量 64KB,这数量规划 2 倍于典型快闪存储器(2 plane、32KB 之类规格),SK Hynix 强调这是确保性能的关键。

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所适用控制器与韧体等开发,计划在 2020 年推出自有品牌企业级固态硬盘。SK Hynix 将致力于提升储存密度,除了以追上硬盘 16TB 之类容量作为目标,更希望能够吸引企业舍硬盘就固态硬盘。

采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘,而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。

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